一家半导体 OEM 向你的 CNC 车间发送了一份真空腔体的 RFQ。图纸上写着“泄漏率 < 1×10¹&sup9; mbar·L/s”。你的车间从未见过这种要求。它是什么意思？你的加工真的能达到吗？如何在 RFQ 中编写真空泄漏规格，让双方对“合格”达成一致？本页逐一解答。
泄漏率不是压力。它是一个流量——每秒进入或离开腔体的气体体积（单位为 mbar·L，等价于 Pa·m³）。1×10¹&sup9; mbar·L/s 的泄漏率意味着：如果密封腔体静置等待，气体将以每秒 0.000000001 mbar·L 的速率渗入。
作为对比：在大气压差下，一个 0.1 mm 直径的通孔产生的泄漏率约为 1×10¹&sup4; mbar·L/s——是规格值的 10,000 倍。腔体实际上不能存在任何从外到内的贯通路径，甚至是焊缝中的微观孔隙率路径或铸件中的亚表面裂纹。
| 泄漏率 (mbar·L/s) | 等效孔径（约） | 典型应用 |
|---|---|---|
| 1×10¹³ | ~1 mm 通孔 | 粗真空系统（真空包装、吸盘） |
| 1×10¹&sup5; | ~0.1 mm 通孔 | 工业真空（热处理炉、镀膜腔体） |
| 1×10¹&sup7; | 焊缝微观孔隙率 | 高真空（SEM 腔体、溅射系统） |
| 1×10¹&sup9; | 亚纳米级通道 | 半导体工艺腔体（CVD、PVD、刻蚀） |
| 1×10¹¹ | 晶格扩散级别 | 超高真空（MBE、离子注入、EUV 光学） |
真空技术将系统分为三个主要范围。每个范围有不同的泄漏率期望、不同的加工要求和不同的测试方法：
| 真空范围 | 压力范围 | 要求泄漏率 | 典型密封方式 | CNC 相关性 |
|---|---|---|---|---|
| 粗真空 | 1000 至 1 mbar | < 1×10¹&sup5; mbar·L/s | O 型圈（NBR、Viton） | 常规加工；密封面表面粗糙度 Ra 1.6–3.2 μm |
| 高真空（HV） | 10¹³ 至 10¹&sup9; mbar | < 1×10¹&sup9; mbar·L/s | 金属垫片（Cu、Al）或刀口密封 | 精密加工；密封面 Ra < 0.8 μm；平面度 < 0.01 mm |
| 超高真空（UHV） | < 10¹&sup9; mbar | < 1×10¹¹ mbar·L/s | ConFlat（刀口 Cu 垫片）、焊接接头 | 超精密；Ra < 0.4 μm；无亚表面孔隙率；低放气材料 |
CNC 车间关键要点：从粗真空到高真空的跨越本质上是一个密封面质量问题。一个用 O 型圈保持 1×10¹&sup5; 的腔体，如果 O 型圈槽有深度超过 5 μm 的刀痕，可能在 1×10¹&sup7; 水平泄漏。对于高真空和 UHV，密封面必须加工到镜面光洁度，无可见刀痕，整个腔体必须无亚表面孔隙率（这排除了未经浸渗处理的铸件）。
测量低于 1×10¹&sup7; mbar·L/s 泄漏率的唯一实用方法是氦质谱检漏（He-MS）。工作原理如下：
| He-MS 参数 | 典型值 | 备注 |
|---|---|---|
| 最小可检泄漏率（真空模式） | 5×10¹¹³ Pa·m³/s (5×10¹¹³ mbar·L/s) | 最先进仪器（Pfeiffer ASM 340） |
| 最小可检泄漏率（嗅探模式） | 1×10¹&sup7; Pa·m³/s | 灵敏度较低；用于定位较大泄漏 |
| 测试气体 | 氦气 4.6（纯度 99.996%） | 更高纯度可降低背景噪声 |
| 响应时间 | < 1 秒 | 现代仪器 |
| 每腔体典型测试时间 | 30–60 分钟 | 含抽真空 + 全喷射扫描 |
大多数 RFQ 的泄漏率规格写得不对。以下是完整的真空规格示例：
RFQ 中应避免的常见错误：
达到 1×10¹&sup9; mbar·L/s 的泄漏率不仅关乎密封——腔体本体也必须无泄漏。以下是加工要求：
| 特征 | HV 要求（<10⁻⁸） | UHV 要求（<10⁻⁷） |
|---|---|---|
| 密封面表面粗糙度 | Ra < 0.8 μm | Ra < 0.4 μm |
| 密封面平面度 | < 0.02 mm | < 0.005 mm |
| O 型圈槽粗糙度 | Ra < 1.6 μm | 不使用（仅金属密封） |
| 刀口密封几何形状 | 不适用 | 刃口角度 60–90°；刃口半径 < 5 μm |
| 壁厚孔隙率（铸件） | 必须浸渗或使用锻材 | 仅锻材；禁用铸件 |
| 焊缝质量 | 全熔透、无孔隙；X 射线或着色检验 | 同上 + 真空退火；按 ASTM F595 控制放气 |
| 材料放气率 | 通常不作要求 | 放气率 < 1×10¹¹&sup0; mbar·L/s·cm² |
当腔体未通过 He-MS 泄漏测试（实测泄漏率超出规格）时，请按以下流程处理：
| 阶段 | 检查项 | 原因 |
|---|---|---|
| 图纸 | 泄漏率以数值标注并注明测试方法 | “真空密封”不是规格 |
| 图纸 | 密封面粗糙度和平面度标注公差 | 未标公差的密封面是第一大泄漏源 |
| 材料选择 | HV/UHV 指定锻材（不用铸件） | 铸件孔隙率是隐蔽的泄漏路径 |
| 加工 | 密封面在最终工序加工（不重新装夹） | 重新装夹破坏平面度 |
| 加工 | 刀口几何形状已验证（角度、刃口半径） | 受损刀口 = 金属密封失效 |
| 装配 | 垫片全新、清洁、扭矩正确 | 重复使用的 Cu 垫片在高真空下会泄漏 |
| 测试前 | 所有表面按 ASTM F595 清洁（溶剂清洗，UHV 需烘烤） | 密封面污染 = 泄漏路径 |
| 测试 | He-MS 检漏仪校准有效；背景值 < 规格的 10% | 未校准的检漏仪 = 无效结果 |
意味着气体以每秒 0.000000001 mbar·L 的速率进入（或离开）腔体。实际上，这相当于腔体没有任何大于亚纳米通道的贯通路径——整个腔体本体和所有密封在分子级别上必须对气体不可渗透。这是半导体工艺腔体（CVD、PVD、刻蚀设备）的标准要求。
能，前提是车间具备精密加工能力并遵循真空级加工规范。关键要求：(1) 高真空密封面粗糙度 Ra < 0.8 μm，UHV 为 Ra < 0.4 μm；(2) 密封面平面度 < 0.01 mm；(3) 锻材坯料（无铸件孔隙率）；(4) 全熔透焊缝并经检验。5 轴加工有助于在一次装夹中完成所有密封特征。车间不需要自有 He-MS 检漏仪——泄漏测试可以外包给真空实验室。
真空模式将腔体抽真空后在外侧喷氦——测量总泄漏率但无法定位单个泄漏点。灵敏度：可达 5×10¹¹³ mbar·L/s。嗅探模式将腔体充氦加压后在外侧用探针采样——可以定位单个泄漏点但灵敏度较低（可达约 1×10¹&sup7; mbar·L/s）。对于半导体 RFQ 验收，真空模式是标准方法。嗅探模式用于故障排查时定位泄漏位置。
密封面加工质量。刀口或 ConFlat 法兰面上深度超过几微米的刀痕会形成任何垫片都无法密封的泄漏路径。第二大常见原因是腔体铸件中的孔隙率——亚表面气孔形成从内到外的微通道。对于高真空和 UHV，应始终指定锻材（锻件或棒材）而非铸件。
在注释中包含四个要素：(1) 数值泄漏率（如 < 1×10¹&sup9; mbar·L/s）；(2) 测试方法（He-MS，真空模式）；(3) 测试条件（测试前基础压力、垫片类型、扭矩值）；(4) 所需文件（含设备校准日期、背景读数和实测泄漏率的测试报告）。绝不要写没有数值的“真空密封”——无法执行。
不需要。许多精密 CNC 车间将 He-MS 泄漏测试外包给专业真空实验室或检测服务机构。关键能力在于使腔体能够通过测试的加工质量。如果你能将密封面加工到 Ra < 0.4 μm 且平面度 < 0.005 mm，使用锻材和经检验的焊缝，腔体就能通过——无论谁执行泄漏测试。与当地真空实验室合作进行验收测试即可。
大多数半导体工艺腔体在高真空范围（10¹³ 至 10¹&sup9; mbar）运行，泄漏率要求 < 1×10¹&sup9; mbar·L/s。超高真空工艺（MBE、离子注入、EUV）在 10¹&sup9; mbar 以下运行，要求泄漏率 < 1×10¹¹ mbar·L/s。UHV 的加工要求显著更严格：Ra < 0.4 μm、平面度 < 0.005 mm、仅金属密封、低放气材料。
我们从锻铝、316L 不锈钢和钛合金加工真空腔体，达到高真空规格。密封面 Ra < 0.4 μm、平面度 < 0.005 mm，5 轴加工能力适用于复杂多接口设计。泄漏测试可通过合作真空实验室完成。
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